中电化合物半导体请求碳化硅晶体的成长设备及其使用专利取得高质量的大直径碳化硅晶体

  金融界2025年7月28日音讯，国家知识产权局信息数据显现，中电化合物半导体有限公司请求一项名为“一种碳化硅晶体的成长设备及其使用”的专利，公开号CN120366887A，请求日期为2025年04月。

  专利摘要显现，本发明供给一种碳化硅晶体的成长设备及其使用，所述成长设备至少包含：坩埚，包含侧部和底部，所述侧部盘绕设置在所述底部的一侧；盖体，设置在所述侧部远离所述底部的一侧上；榜首加热器，盘绕设置在所述坩埚外，且接近所述盖体一侧设置；第二加热器，盘绕设置在所述坩埚外，且接近所述底部一侧设置，且所述第二加热器与所述榜首加热器之间坚持预设距离；第三加热器，距离设置在所述盖体远离所述坩埚的一侧上；碳化硅粉料，装填在所述底部接近所述侧部的一侧上；以及碳化硅籽晶，悬挂在所述盖体接近所述坩埚的一侧上。经过本发明供给的碳化硅晶体的成长设备及其使用，能轻松的取得高质量的大直径碳化硅晶体。

  天眼查资料显现，中电化合物半导体有限公司，成立于2019年，坐落宁波市，是一家以从事非金属矿藏制品业为主的企业。企业注册资本53423.3332万人民币。经过天眼查大数据分析，中电化合物半导体有限公司参加招投标项目443次，产业线条，此外企业还具有行政许可14个。