江苏第三代半导体研究院请求碳化硅复合籽晶及其制备办法、碳化硅晶体专利完成大直径、高厚度、低成本的晶体的成长

  金融界2025年8月2日音讯，国家知识产权局信息数据显现，江苏第三代半导体研究院有限公司请求一项名为“碳化硅复合籽晶及其制备办法、碳化硅晶体”的专利，揭露号CN120401009A，请求日期为2025年04月。

  专利摘要显现，本请求揭露一种碳化硅复合籽晶及其制备办法、碳化硅晶体，碳化硅复合籽晶的制备办法有供给金刚石基片；在金刚石基片的标明发生碳化硅过渡层，并使碳化硅过渡层的硅面远离金刚石基片的外表，得到金刚石/碳化硅复合结构；在金刚石/碳化硅复合结构的硅面构成碳化硅籽晶，并使碳化硅籽晶的碳面远离碳化硅过渡层的硅面，得到碳化硅复合籽晶；其间，碳化硅过渡层的热导率小于金刚石基片的热导率，且碳化硅过渡层的热导率大于碳化硅籽晶的热导率；碳化硅过渡层的晶型与碳化硅籽晶的晶型不同。选用上述办法制备的碳化硅复合籽晶在完成大直径、高厚度、低成本的碳化硅晶体的成长的一起，还确保了碳化硅晶体的成长质量。

  天眼查资料显现，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，坐落苏州市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。经过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外出资了2家企业，参加招投标项目21次，产业线条，此外企业还具有行政许可9个。