金融界2024年9月3日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，东旭集团有限公司请求一项名为“一种制备碳化硅外延石墨烯的办法和坩埚及其使用“，公开号CN0.X，请求日期为2024年4月。
专利摘要显现，本发明供给一种制备碳化硅外延石墨烯的办法和坩埚及其使用，谈判制备办法有：将碳化硅衬底放置在半关闭坩埚腔体结构中，得到坩埚空腔组合体；谈判碳化硅衬底具有原子级外表；在坩埚空腔组合体内通入Ar或N2，温度控制在1250～1400℃，使碳化硅衬底的上外表生长石墨烯，得到碳化硅外延石墨烯；谈判，半关闭坩埚腔体结构具有圆柱形的空腔，坩埚空腔底面直径比碳化硅衬底的直径大5～10mm；碳化硅衬底放置在半关闭坩埚腔体结构中后，碳化硅衬底上外表到半关闭腔体结构顶部内壁的间隔为0.5～10mm；半关闭坩埚腔体结构的顶部设有连通空腔的通孔，开孔率为0.5％～10％；开孔率＝通孔横截面总面积/空腔底面面积。该办法制备得到的碳化硅外延石墨烯厚度均匀，晶畴尺度大，质量高。
