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国产SiC碳化硅MOSFET为何会崛起

来源:企鹅电竞登录    发布时间:2025-04-23 09:22:17 人气:1 次

  以BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)为例,国产SiC碳化硅MOSFET的崛起是技术突破、市场需求、政策支持及产业链协同发展的综合结果。国产SiC碳化硅MOSFET正在加速国产替代和器件变革升级,全面取代进口IGBT模块,替代进口IPM模块,替代进口IGBT单管和进口高压平面硅MOSFET,以及取代进口SJ超结MOSFET和进口高压GaN 器件,倾佳电子杨茜以下从多重维度深度分析其核心驱动力:

  倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级!

  倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头:

  倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势!

  倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必然趋势!

  倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势!

  BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)的B3M系列SiC MOSFET在高压(1200V,650V,1400V,1700,2000V)、高频和高温场景下表现优异,例如典型型号B2M013C120Z的导通电阻(13mΩ@18V)、开关损耗等关键参数已接近或超越国际竞品。其基于6英寸晶圆平台的第三代产品,逐步优化了比导通电阻和可靠性,满足了新能源汽车对高效能、高功率密度的需求。

  国产SiC MOSFET通过AEC-Q101等车规认证,例如BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)的产品已应用于主驱逆变器、车载充电(OBC)等核心场景,并通过高压H3TRB测试,可靠性得到主机厂认可。

  2023年中国新能源汽车销量占全球64.8%,800V高压平台加速普及,带动SiC MOSFET需求。主驱逆变器占车规级SiC市场的88.6%,BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)等企业通过车规级模块和分立器件抢占市场。

  SiC MOSFET虽初始成本比较高,但其高频特性可减少电感、电容体积,降低系统综合成本。例如,采用1200V SiC器件可使电驱系统效率提升3%-5%,续航里程增加5%-10%。

  BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)采用IDM模式,整合设计、制造与封装,年产能达上百万只;国内6英寸/8英寸晶圆线(如BASiC基本股份)逐步投产,缓解了晶圆供应瓶颈。

  BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在新能源汽车主驱逆变器领域形成碳化硅模块技术壁垒,并且BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)深耕光伏、储能PCS、APF等工业市场,与国际巨头正面竞争。

  国内企业联合高校及研究机构攻克关键工艺,如BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)与高校合作优化栅氧层技术,提升器件寿命。

  尽管国产SiC MOSFET已实现突破。未来需通过规模化生产(如8英寸晶圆)和工艺优化(如降低缺陷密度)逐步降低成本。

  BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)等国产企业的崛起,是技术迭代、市场红利与政策扶持共振的结果。随着800V高压平台普及和全球碳中和需求,国产SiC MOSFET比如BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)有望在车规级市场实现从“替代”到“引领”的跨越,推动中国在第三代半导体领域的全球话语权提升。

  日前,山西省大同市中级人民法院审理席某某上诉案及所涉婚约财产纠纷上诉案的审判长接受记者正常采访:本案系不公开审理的案件,一审宣判后,鉴于网上存在大量不实信息,法院在法律规定范围内最大限度回应社会关切,澄清事实。

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